方式/流程
触电地应力（EOS）：就是指电子器件承担的电流量，工作电压地应力或输出功率超出其容许的较大范畴。静电感应损害(ESD)：数字集成电路在生产生产制造，拼装，存储及其运送全过程中，很有可能与带静电感应的器皿，检测设备及实际操作工作人员相触碰，所需静电感应通过元器件脚位充放电到地，使元器件遭受损害或无效。二次穿透：元器件被参考点在某一独特的工作中点时，工作电压忽然坠落，电流量忽然升高的物理变化。这时候若无cp设备以及他保障措施，电子器件将被损坏。电转移（EM）：当元器件工作中时，金属材料互联线内有一定的电流量根据，金属离子会沿电导体造成品质的运送，其結果会使电导体的一些位置发生裂缝或晶须。机械设备地应力和热变地应力：电子器件在生产制造，运送，安裝和电焊焊接等全过程中遭受外界的机械设备和内应力的效果而无效。栅氧穿透：在MOS元器件以及集成电路芯片中，栅空气氧化层缺点会造成栅氧走电，走电提升到一定水平即组成穿透。与時间相关的介质击穿（TDDB）：增加的静电场小于栅氧的本征穿透抗压强度，但历经一定的时 间后仍产生穿透的状况。这也是因为增加地应力的环节中，空气氧化层内造成并集聚了缺点（圈套）的 缘故。金铝键合无效：因为金-铝中间的化学势不一样，经长期性应用或200℃之上的高溫储存后，会产 生多种多样金属材料间化学物质，如紫斑，白斑病等。使铝层变软，黏附性降低，回路电阻提升，最终造成 引路。在300℃高溫下还会继续造成裂缝，即柯肯德尔效用，这类效用是高溫下金向铝中快速蔓延 并产生化学物质，在键合点四周发生环状裂缝。使铝模一部分或所有摆脱，产生高阻或引路。“爆米花玉米效用”:塑封膜电子器件塑封膜原材料内的水蒸气在持续高温下遇热产生澎涨，使塑封膜料与金属材料架构和集成ic间产生分层次效用，扯断键合丝，进而产生引路无效。击穿：电力电子器件集成ic与基座粘合或煅烧欠佳，会存有诸多大小不一的裂缝，造成元器件工作中时造成的发热量不可以充足往外传输，产生局部性网络热点而产生穿透的状况。
